Двойной IGBT-транзистор CM75DY-24H, 2 IGBT 1200V 75A 3-gen (H-Series)
3000 руб.
Двойной IGBT-транзистор CM75DY-24H, 2 IGBT 1200V 75A 3-gen (H-Series)
НОВЫЙ
Mitsubishi CM75DY-24H — это IGBT (изолированные ворота, биполярный Транзистор) модуль предназначен для переключения приложений. Он состоит из шести IGBT в Трехфазный конфигурация моста, с каждым Транзистор с обратным подключением обратного диода со сверхбыстрым восстановлением. Вот основные функции, приложения и максимальные рейтинги модуля:
Особенности CM75DY-24H:
- Низкая мощность привода и низкий VCE(sat): Модуль предназначен для работы с низкой мощностью привода и имеет низкий VCE(sat) (насыщение коллектор-эмиттер) напряжение), что приводит к снижению потерь мощности и повышению эффективности.
- Дискретный диод свободного хода со сверхбыстрым восстановлением: каждый транзистор в модуле оснащен дискретным диодом свободного хода со сверхбыстрым восстановлением, который обеспечивает эффективное переключение и минимизирует потери энергии во время свободного хода.
- Работа на высоких частотах: модуль может работать на высоких частотах, что делает его подходящим для приложений, требующих быстрого переключения.
- Изолированная базовая плита для легкого отвода тепла. Базовая плита модуля изолирована, что упрощает сборку и управление температурным режимом в конструкции системы.
Применение CM75DY-24H:
- Управление двигателями переменного тока: модуль можно использовать в приложениях управления двигателями для регулирования скорости и направления двигателей переменного тока.
- Управление движением/сервоприводом: подходит для приложений, требующих точного управления системами движения и сервопривода.
- ИБП (источники бесперебойного питания): модуль можно использовать в системах ИБП для обеспечения резервного питания при отключении основного питания.
- Источники питания для сварки: он хорошо подходит для источников питания для сварки, требующих коммутации и управления высокой мощностью.
Максимальные характеристики CM75DY-24H:
- Температура перехода (Tj): от -40 до +150°C
- Температура хранения (Tstg): от -40 до +125°C
- Коллектор-эмиттер напряжение (VCES, GE SHORT): 1200 Вольт
- Напряжение затвор-эмиттер (VGES, CE SHORT): ±20 Вольт
- Ток коллектора (IC, TC = 25°C): 75 ампер
- Пиковый ток коллектора (ICM): 150* Ампер
- Ток эмиттера (IE, TC = 25°C): 75 Ампер
- Пиковый ток эмиттера (IEM): 150* Ампер
- Максимальная рассеиваемая мощность коллектора (Pc, TC = 25°C, Tj ≤ 150°C): 600 Вт
- Момент затяжки, монтаж M5: 1.47 ~ 1.96 Н·м
- Момент затяжки, монтаж M6: 1.96 ~ 2.94 Н·м
- Вес: 190 Грамм
- Напряжение изоляции (основная клемма к базовой плате, переменный ток 1 мин.): 2500 В (среднеквадратичное значение)
Модуль рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 1200 В, ток коллектора 75 А и рассеиваемую мощность коллектора 600 Вт. Напряжение изоляции модуля составляет 2500 В (среднеквадратичное значение), что обеспечивает электрическую изоляцию между основными клеммами и базовой платой.
В наличии 5